學術研究計畫(研4):

  • 1.低溫複晶鍺製備與其薄膜元件技術應用,2019/8/1 ~ 2020/7/31
  • 2.穩定p型氧化鋅薄膜之研究與薄膜電晶體應用科技部 一般型研究計劃 2016/8/1 ~ 2017/8/31
  • 3.以氮化鋅前驅物製備低溫P型氧化物半導體及其薄膜元件之應用(III)國科會 一般型研究計劃 2014/8/1 ~ 2015/7/31
  • 4.以氮化鋅前驅物製備低溫P型氧化物半導體及其薄膜元件之應用(II)國科會 一般型研究計劃 2013/8/1 ~ 2014/7/31
  • 5.以氮化鋅前驅物製備低溫P型氧化物半導體及其薄膜元件之應用(I)國科會 一般型研究計畫 2012/8/1 ~ 2013/7/31
  • 6.P型氧化鋅薄膜技術開發與其在透明互補式反相器之應用(II)國科會 一般型研究計畫 2011/8/1 ~ 2012/7/31
  • 7.P型氧化鋅薄膜技術開發與其在透明互補式反相器之應用(I)國科會 一般型研究計畫 2010/8/1 ~ 2011/7/31
  • 8.軟性電子關鍵技術之低溫 (200 oC) 結晶矽膜技術開發與應用國科會 一般型研究計畫 2008/8/1 ~ 2009/7/31
  • 9.低溫離子核化之矽半導體結晶技術開發與應用(I)國科會 一般型研究計畫 2007/8/1 ~ 2008/7/31
  • 10.新穎非晶半導體結晶技術開發以及其在光電元件之應用(I)國科會 一般型研究計畫 2006/8/1 ~ 2007/7/31
  • 11.新型低溫快速半導體結晶技術開發(II)國科會 一般型研究計畫 2005/8/1 ~ 2006/8/31
  • 12.系統面板關鍵技術之開發─子計畫一:新型低溫快速半導體結晶技術開發(I)國科會 一般型研究計畫 2004/8/1 ~ 2005/7/31
  • 13.快速升溫結晶技術在塑膠基板顯示器之研究國科會 一般型研究計畫 2003/8/1 ~ 2004/7/31
  • 14.快速升溫退火處理對於半導體薄膜結晶之特性研究國科會 一般型研究計畫 2002/12/1 ~ 2003/7/31

產學合作計畫(研9):

  • 1.表面工程提升矽晶太陽能電池性能,2023/1/1 ~ 2023/12/31
  • 2.以磷摻雜改善摻氮氧化鋅薄膜p型電氣傳導之研究,2022/1/1 ~ 2022/12/31
  • 3.微氧化製程對於P型氧化鋅半導體技術之研究,2019/1/1 ~ 2019/11/30
  • 4.氧化鎳半導體材料之電漿氧化研究,2018/1/1 ~ 2018/11/30
  • 5.透明氧化鎳半導體材料技術開發,2017/1/1 ~ 2017/11/30
  • 6.矽含量對於氧化鉿之影響,2016/1/1 ~ 2016/11/30
  • 7.氮鈍化對於氧化鋅電晶體的影響,2015/1/1 ~ 2015/11/30
  • 8.低反射次波長結構之研究,2014/1/1 ~ 2014/12/31
  • 9.以微氫化製程改善非/單晶矽異質接面,2012/10/1 ~ 2013/12/31
  • 10.寬能隙半導體/矽異質接面之改善,2011/9/1 ~ 2012/7/15
  • 11.透明金屬氧化異質接面太陽電池技術開發,2010/9/1 ~ 2011/7/15
  • 12.200˚C微晶矽薄膜技術開發及其在薄膜電晶體之應用,2008/8/1 ~ 2009/7/31
  • 13.先進光電顯示學程,2008/2/1 ~ 2009/1/31
  • 14.軟性結晶Si TFT陣列整合技術,2007/1/1 ~ 2008/12/31
  • 15.低溫微晶矽薄膜電晶體之開發,2006/8/1 ~ 2007/7/31
  • 16.次世代薄膜電晶體技術開發,2005/8/1 ~ 2006/7/31
  • 17.微晶矽薄膜電晶體可靠度研究,2005/1/1 ~ 2005/12/31
  • 18.用於系統面板之新型低溫多晶矽薄膜電晶體開發,2004/8/1 ~ 2005/7/31
  • 19.用於有機發光二極體面板之微晶矽薄膜電晶體,2004/1/1 ~ 2004/12/31

研究計畫-共同/協同主持: